反常霍尔效应是在检测碲镉汞（ＭＣＴ）薄膜的电学性质时的一种常见现象，反常的根本原理是由于材料的不均匀。本文着讨论ＭＣＴ外延膜的电学参数的种......

通过在不同日期，相同测试条件下霍尔测试同－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＺｎＴｅ外延晶膜的电学参数，发现其电学参数随时间的不同而不同。根据Ｐｅｔｒｉｔｚ＾「１」的双层模型用计算机进行......