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在Si_xGe_(1-x)C_(0.02)衬底上直接生长石墨烯
基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(S......
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