多态存储相关论文
近年来,由铁磁材料和铁电材料结合而构成的复相多铁性材料,在磁电耦合效应的研究领域中得到迅速的发展。基于应变耦合机制的电控磁......
忆阻器(Memristor)能够模拟人脑神经形态计算的功能,从而突破冯·诺依曼框架。然而,由于传统的忆阻器内部的导电细丝的形成和断裂......
介绍了Pivotal Greenplum 5.0开放源代码数据库的高速数据加载、多态存储、并行执行、敏捷开发方法学等内容。......
随着信息产业的快速发展,人们对移动存储的需求急剧增长。由于Flash存储技术具有非挥发的存储特性,因此被广泛地用于具有移动存储......
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了G......
随着信息技术向高密度、低能耗的方向发展,对存储技术的要求越来越高。在提高存储密度方面人们提出“电写磁读”式多态存储,而且电......
利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜， X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构，原子力显微镜测试显示 ZnO 薄膜表面平整均匀，均方......
随着信息存储的不断发展,对磁存储器低成本、高性能和非易失性的要求也越来越高。相比于磁场和电流驱动磁化翻转,电场调控更有优势......
利用应变来调控材料宏观物理性质的过程,称其为“应变工程”(strain engineering)。研究表明,应变可以有效调控半导体材料的能带结......
随着大数据、人工智能、云计算和5G等技术的迅速崛起,全球数据圈以惊人速度增长,对存储器性能提出新挑战。相变存储器因具有操作速......
