利用高频感应加热化学气相沉积（HFCVD）工艺，以H2稀释的SiH4作为反应气体源，分别在n-（111）Si衬底上常规热生长的SiO2层、织构的SiO2层和纳......

利用低压化学气相沉积（LPCVD）方法，以充Ar的SiH4作为反应气体源，在覆盖有热生长SiO2层的P-（100）Si衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多......

利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒......