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多管级联结构相关论文
0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计
基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共......
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