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混晶GaAs1—xPx禁带中央附近能级的研究
用双光源光电容法研究了混晶 GaAs_(1-x)P_x(x=0.65和0.85)中禁带中央附近深中心的特性,发现所测 x=0.65和0.85的GaAs_(1-x)P_x样......
期刊
镓砷磷
禁带中央能级
多能级耦合
GaAs1_xPx‘ Mid-gap level. Multiple level coupling centre model
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