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失配位错生长规律相关论文
In0.82Ga0.18As/InP异质外延材料结构优化及性能研究
Inx Ga1-x As材料可以制作高灵敏度和探测率的探测器,其截止波长随In组分含量的变化呈线性变化,近年来,对长波长In0.82Ga0.18As/In......
学位
In0.82Ga0.18As/InP
金属有机化学气相沉积
缓冲层厚度
外延层
失配位错生长规律
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