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SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变
用数值和解析的方法研究了SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下C-V特性的畸变.隐埋沟道MOSFET中存在一个pn结,在沟道夹断以后,半导体表面......
期刊
埋沟MOS结构
夹断模式
C-V特性
SIC
畸变
buried-channel MOS structure
pinch-off mode
C-V char
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