子带间散射相关论文
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子漂移速度，高击穿场强等优越性能，是发展高频、高温、高功率电子......
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了GaN异质结构中的耦合沟道阱,求出了耦合沟道阱中电子状态随异质结构的变化,发现通过适......
从自洽求解薛定谔方程出发，计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用......
