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电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构
采用有效质量理论6带模型,研究了电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的价带子能带结构,具体计算了价带子能级的色散曲线,分析了电场和应变效应对子能带......
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