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SiO2-Si3N4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析
采用高频C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄SiO2膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构Si 3N4膜,两者组成的栅介质膜的陷......
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金属-氮化硅-二氧化硅-硅结构
存储陷阱分布
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