采用定点激光反射热循环测量基片上薄膜应力的方法，测量了硅片（１００）上四种厚度（０．２４μｍ，０．５３μｍ，１．２８μｍ，３．４２μｍ）磁控溅射纯铜膜应力随温度（２０℃－３００℃）的变化，发现沉积膜中......

采用定点激光反射热循环方法,测量了硅基体上铜膜应力随温度的变化及等温松弛.结果表明,开始加热时,应力随温度的增加以-2.62 MPa/......

采用定点激光反射热循环方法，测量了硅基体上铜膜应力随温度的变化及等温松驰。结果表明，开始加热时，应力随温度的增加以－２．６２ＭＰａ／℃的速率线性......