采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发......

利用等离子体增强化学气相沉积制备了未掺杂与掺硼富硅氧化硅薄膜。在高纯N2气氛中经过600℃、800℃和1100℃热处理,发现随着热处......

本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入饵的发光特性，富硅氧化硅薄膜采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入饵，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０－３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光......