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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低压力的条件下,以SiH4、NH3和H2为反应气体,通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料。......
以热丝化学气相沉积为方法,硅烷流量为变量,制备一系列氮化硅薄膜,并对样品进行傅里叶红外光谱、紫外-可见光谱、PL光谱的测试,结......
采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外一可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表......
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制......
基于半导体硅量子点的量子尺寸效应的第三代太阳能电池是目前研究的热点之一。硅量子点的密度与大小对光的吸收和载流子的迁移有很......