基于硅通孔（Through Silicon Via,TSV）转接板技术的三维封装集成电路（以下简称TSV三维封装集成电路）相比平面集成电路缩短了互连长度、......

用热氧化的方法在Ｓｉ片上制备了不同厚度的ＳｉＯ２薄膜，把能量１００ｋｅＶ和１８０ｋｅＶ的７５Ａｓ离子分别注入上述衬底，用２．１ＭｅＶ的４Ｈｅ离子对注入后的样品作了背散射分析，测出了７５Ａｓ在样品中......

１５０ｋｅＶ和１９５ｋｅＶＡｒ离子室温下辐照非晶态合金（Ｃｏ９４Ｆｅ４Ｃｒ２）７８Ｓｉ８Ｂ１４，表表面发泡和溅射腐蚀是两种主要的表面损伤过程．针孔出现较表面发泡要晚，它的密度随剂量增加迅速地增加......

利用为模拟荷能重离子在组织等效气体中能量沉积分布研究而设计的无壁正比计数器系统对２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ１４＋离子在组织等效气体中沿其径向及纵向的相对......

离子在物质中的阻止本领是离子与物质相互作用研究的一个重要内容，同时也是进行离子注入材料改性、离子束表面分析和其它离子束技术......