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岛隔离相关论文
两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响
采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOIMOSFET器件通常都会出现边缘效应,即会出现亚阈值斜率的“隆起”(HUMP)效应.针对产......
会议
边缘效应
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