带边发射相关论文
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的......
半导体纳米材料因其特殊的光学、电学等性质,已逐渐引起人们的关注.特别是它在新型显示材料方面所表现出的巨大应用潜力,使之成为......
直接宽禁带半导体材料ZnO是第三代半导体材料的典型代表，其薄膜材料在光电、压电、气敏传感器、集成光学、透明导电薄膜等领域具有......
报道了在（100）Si和砷化镓基板上，用化学来外延法和金属有机物分子束外延法生长出无掺杂和Mn掺杂的ZnS的综合研究。该研究用于先进的电......
ZnO是宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3．37eV，激子束缚能高达60meV，是制备光电器件的优选材料。然而，p型掺杂仍是亟待解决的问题。IB元素......
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光......
