本文详细研究了采用Cl_2/H_2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结......

本文详细研究了采用Cl2／H2刻蚀气体时，ICP刻蚀系统对InP／InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP／InGaAsP多量子阱结构，测量......

GaN半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、载流子饱和漂移速度高等优异特性,是制造大功率、高频、高温等器件的理想材料。与AlGa......

本文计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了......