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应变自组装量子点相关论文

InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm......

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应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点量子点激光器 MBE生长

应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和......

期刊

应变自组装量子点电致发光谱 InAs量子点结构量子点激光器 MBE生长

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