异质结势垒效应相关论文
研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比,锗硅器件在低温下具有性能优势,即直流增益在低温下不降反升。大......
基于SiGeHBT异质结势垒效应(HBE)产生的物理机制,综合考虑Ge引入集电区和大电流下电流感应基区中少子浓度对空穴浓度的影响,建立了异质......