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异质结双检晶体管相关论文
GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究
采用GSMBE技术,在材料表征和分析的基础上,通过优化生长条件,生长出高性能In0.49Ga0.51P/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微结构材料,并制备出器件,材料结构中采用厚度为60nm、......
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异质结双检晶体管
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GSMBE
微结构材料
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