采用ＧＳＭＢＥ技术，在材料表征和分析的基础上，通过优化生长条件，生长出高性能Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）微结构材料，并制备出器件，材料结构中采用厚度为６０ｎｍ、......