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对数字CMOS器件来说,当特征工艺尺寸小于90nm时,低能质子的直接电离作用导致的单粒子效应将不可忽视,需要进行低能质子单粒子效应......
清华微型脉冲强子源(CPHS)靶站屏蔽设计需同时考虑屏蔽不同能量中子和γ射线。为了在有限空间内达到放射性防护的要求,CPHS研制了......
清华大学为微型脉冲强子源加速器注入研制了一套2.45GHzECR强流脉冲质子源和低能传输线(LEBT)系统。质子源采用四电极系统引出能量达5......