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抗辐射设计方法相关论文

设计和表征一个65nm抗辐射标准单元库

提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻......

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抗辐射设计方法 C单元单粒子效应三重冗余标准单元表征延迟 radiation hardening by design C-element SEE tr

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