采用掠角热丝化学气相沉积(GLAD-HWCVD)技术，在140℃的衬底温度下，制备了定向生长的晶化硅纳米棒(silicon nanorods，SiNRs)。发现了在......

作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而......

本文概述Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的发展水平及其应用，介绍了在我们现在有工艺条件下，研制Ｓｐｉｎｄｔ型阴极的情况。利用改装的蒸发沉积设备及射频磁控溅射技术在......

作为一种直接带隙p型半导体材料,Cu2O在很多工业领域都有良好的应用前景,而Cu2O纳米棒因其一维纳米几何而具有更诱人的性能。然而......

三维及准三维纳米结构器件是纳米技术时代的核心基础器件之一。掠角沉积技术以其高效性成为一种最有潜力的纳米结构加工方法，然而，对......

硒化锌（ZnSe）是一种备受关注的II-VI族直接宽带隙半导体材料，因其在诸如发光二级管、蓝绿色半导体激光器及中红外激光器等光电子器件......