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掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究
采用磁控溅射法在si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C......
期刊
稀磁半导体
掺碳氧化铟
铁磁性
薄膜
diluted magnetic semiconductors
carbon-doped In2O3
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