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利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺......
利用锗硅单晶（锗浓度约为10^19cm^-3)切制成的籽晶和一般无位锗硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平衡降低拉速的工艺，生......
