通过对Pechini法改进,在不同pH和锆离子掺杂量下制备了Ba_（0.92）Sr_（0.08）Ti_（1-x）Zr_xO_3（x=0~0.12,BSTZx）纳米粉体.通过物相结构的表征得......

ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，具有较高的激子束缚能，优良的光电性能，良好的气敏压敏性能及较高的化学稳定性和热稳定性等。自......