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相变存储器(PCM)在被公认为下一代最具前景的非易失性存储器之一。相变存储材料是PCM的核心,对PCM的性能优化至关重要。目前研究最......
在众多新型半导体存储技术中，相变存储器(PCRAM)以其优异的综合性能，被认为是下一代最具潜力的非易失性存储器之一。而作为存储媒介......
相变存储器是与CMOS工艺技术兼容且随半导体加工技术发展依然保持良好性能的新一代非挥发性存储器，当器件特征尺寸进入纳米尺度并不......
研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;......
