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CdSe单晶体是一种新型性能优异的室温核辐射探测器半导体材料，实验在双温区炉中采用垂直无籽晶气相提拉法生长出尺寸为015mm×40mm，......
根据ZnO晶体的结晶特性，研究设计出一种无籽晶石英生长安瓿，其关键技术参数为：自发成核区采用多区间淘汰，分别设置籽晶淘汰区、籽......
设计了垂直提拉无籽晶化学气相方法，生长出了直径达12 mm的优质ZnO单晶。通过对生长温度的优化以及对石英安瓿的设计，并结合垂直......
当工艺特征尺寸减小到45nm或以下，沟槽和通孔高宽比大幅度增加，目前半导体工业界采用物理气相淀积的Cu籽晶层/钽(Ta)/氮化钽(TaN)三......
