晶体管结构相关论文
主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究 ,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术 .
Mainly introduces the research......
由单个分子构成的场效应晶体管器件作为世界上最小的电子学器件在研究量子物理现象和未来电子学基础方面都具有潜在的重大意义......
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电......
当器件的尺寸接近纳米尺度时,量子效应对器件工作的影响变得格外重要,就需要采用具有新机理的晶体管结构,单电子晶体管(SET)就是其......
该文在叙述场效应晶体管结构的基础上，对场效应晶体管（FET）和双极性功率晶体管（BJT）的特性进行了比较，讨论了场效应晶体管用在PWM伺服放......
FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单......
选极功率晶体管该种功率晶体管的接壳电极可根据整机设计需要进行选取，具有可靠性高、气密性好、高频性能好、安全、防潮温、抗干扰......
主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术.......
无机钙钛矿(无机钙钛矿量子点和无机钙钛矿薄膜)具有许多优异的特性,如吸收系数大,载流子迁移率高,扩散长度大等,在发光二极管、太......
