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SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡.开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压......
针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiCMOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiCMOSFET的开关过程进行详细......
与传统的硅(Silicon,Si)器件相比,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)器件因具有更高的阻断电压,更低的导通电阻,更快的开关频率和更优的......
与硅金属氧化物半导体场效应管(silicon metal oxide semiconductor field effect transistor,Si MOSFET)相比,碳化硅(silicon car......