Ga2 O3是一种新兴的宽带隙半导体,在电力和射频电子系统中具有潜在的应用前景.前期研究以β-Ga2 O3为主,并且已经对β-(AlxGa1-x)2......

与其他GaN基单异质结材料相比,传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化,使得异质结界面存在高密度和高......

本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对AlxGa1-xN/InyGa1-......