极紫外曝光相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

极紫外曝光相关论文

0.1μm器件以后的SR缩小光刻

<正> 极紫外曝光(EUVL)从原理上说与紫外缩小光刻是一样的,其特点是代替折射透镜,使用了反射镜一面镀有软X射线范围具有较高反射率......

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极紫外曝光软X射线紫外缩小光刻多层膜

光刻机曝光技术演进

<正> 1 引言目前,集成电路已经从60年代的每个芯片上仅几十个器件发展到现在的每个芯片上可包含约10亿个器件,其增长过程遵从一个......

期刊

集成电路光刻机光学曝光准分子激光极紫外曝光限角散射电子束投影曝光

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