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栅挖槽工艺相关论文
基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件
基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压......
会议
高电子迁移率晶体管
增强型器件
栅挖槽工艺
阈值电压
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