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栅接地n型金属-氧化物-半导体相关论文
栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维......
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