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栅极沟槽氧化层断裂相关论文
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
本文对非钳位感性开关(Unclamped Inductive Switching, UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究。结果表明,不同于......
期刊
4H-SiC双沟槽MOSFET
单脉冲雪崩击穿能量
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栅极沟槽氧化层断裂
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