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采用原子层淀积(ALD)方法在4H-SiC(0001)8°N-/N+外延层上制备了超薄(~4nm)Al2O3绝缘栅高介电常数SiCMIS电容.通过对Al2O3介质膜以......
GaN作为典型的第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
高性能AlGaN/GaN HEMT器件在高温、微波大功率应用上拥有明显的优势,然而AlGaN/GaN异质结HEMT器件仍然存在着界面缺陷、栅泄漏电流较......
本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出......
针对InAlAs/InGaAs InP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R gs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效......
GaN半导体材料的禁带宽度为3.45eV,属于宽禁带半导体材料,另外GaN的电子饱和速度很高,同时其导热性能良好,这使得GaN材料在微波大......
在跟随摩尔定律等比例缩小器件尺寸的进程中,为保证电流的驱动能力,并减小栅泄漏电流,高k栅介质的应用成为必然趋势。为寻找一种能够......