栅源电压相关论文
为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间......
期刊
通常PMOSFET 栅源电压为-20～20 V,而用于GaN 功率放大器的高压PMOSFET 驱动器,其工作电压为28～50 V,因此需要一种新型电路结构来保证......
基于CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了一种低温漂二阶曲率补偿基准源。它利用被偏置在亚阈值区的MOS管的源漏电流与栅源电压的指数关系,......
介绍一种实现高性能增强型AlGaN/GaNAlGaN/GaN HEMT的新的方法。该方法是对AlGaN/GaN HEMT的栅极进行氟离子处理,并在500℃的温度......
本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的......
在POE（Power Over Ethernet）系统的终端受电设备中，限流保护调节电路保证了其稳定可靠工作。根据IEEE802．3af标准规定，受电设备开关电源......
介绍一种基于计算机控制,运用于MOSFET单粒子效应动态测试的便携式仪器.它能对MOSFET在不烧毁情况下进行反复测试,捕捉其烧毁电流......
<正>引言 在当今的开关电源设备中,当电源电压在200V以下时, 主开关功率器件一般都使用功率MOS器件。所以深入了解 功率MOS器件的......
