该文首先研究了含盖整个线性区和饱和区的各种器件静态参数随应力时间的退化规律,并得到了PMOS器件热载流子损伤生长的基本规律.重......

该论文中,实现了从热载流子向栅注入开始,到产生损伤,引起器件特性退化,直至对器件寿命影响的的物理描述.首先,我们用流函数方程在......

研究了最大栅电流应力 (即 p MOSFET最坏退化情况 )下 p MOSFET栅电流的退化特性 .实验发现 ,在最大栅电流应力下 ,p MOSFET栅电流......

研究了最大栅电流应力（即pMOSFET最坏退化情况）下pMOSFET栅电流的退化特性。实验发现，在最大栅电流应力下，pMOSFET栅电流随应力时间会......