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正交拉丁码相关论文
基于正交拉丁码的存储器抗多位翻转设计
由于集成电路工艺的不断进步,半导体器件尺寸的持续缩小,存储器中相邻存储单元间距离变得越来越近,由一次辐射事件所引发的多位翻转(Mu......
学位
正交拉丁码
存储器可靠性
多位翻转
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