正电子淹没相关论文
本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体Ｇａ Ａｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．......
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹......
