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气液固(VLS)相关论文
GaN纳米线生长的影响因素与机理分析
基于气液固(VLS)反应机制,采用厚度为2~3 nm的金属镍作为催化剂,金属镓和氨气分别用作Ⅲ族和Ⅴ族的生长源,在自行改造的化学气相沉......
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