氢终端相关论文
金刚石具有禁带宽度大,载流子迁移率高,热导率极高等优异的电学性能,使其成为制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件......
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA......
在半导体电子器件制备领域金刚石被誉为终极半导体材料。金刚石的禁带宽度为5.5 eV,热导率为22 W/(cm·K),击穿电场大于20 MV/cm,......
金刚石作为新兴的超宽带隙半导体材料的代表之一,具有载流子迁移率高、导热系数高等一系列优点。在金刚石材料研究方面,目前高品质......
利用氢微波等离子体溅射和浓酸中沸煮方法分别制备了氢、氧终端掺硼金刚石薄膜.借助X射线光电子能谱及接触角检测对两种终端薄膜表......
受限于浅能级掺杂技术瓶颈,采用掺杂技术制备的金刚石器件仍未能发挥出金刚石材料特性所决定的应有性能水平,金刚石丰富的表面终端......
基于多晶金刚石制作了栅长为4 pm的铝栅氢终端金刚石场效应晶体管.器件的饱和漏源电流为160 mA/mm,导通电阻低达37.85Ω·mm,......
基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件......
金刚石是一种超宽禁带半导体材料,由于其击穿电场高、热导率高、载流子迁移率高等特性,被认为是终极半导体,可应用于高温、高频率......
