氧化物限制工艺相关论文
介绍了研制垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)核心技术之一,氧化物限制工艺,讨论了温度与氧化速率之间的关系.......
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现......