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氧化诱生层错(OSF)相关论文
300mm直拉单晶硅中的氮元素对氧化诱生层错的影响
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶,研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错(OSF)的行为。从4组晶体的相同位置取样,并对样品进行1100℃湿......
期刊
掺氮
300
MM
氧化诱生层错(OSF)
直拉单晶硅
nitrogen-doping 300 mm oxidation-induced stacking
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