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氧化镓氮化镓异质pn结相关论文
基于β-Ga2O3的pn结二极管的制备与性能研究
氧化镓(Ga_2O_3)作为第三代新型半导体材料,具备禁带宽度大、临界击穿场强高等特点,这些性质优于传统第三代半导体材料Si C和Ga N......
学位
氧化镓/氮化镓异质pn结
制备工艺
载流子输运机制
超临界CO2
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