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本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2 O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴......
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×10^18 cm^-3。晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍......
使用导模法生长了宽度25 mm,长度100 mm的氧化镓(β-Ga2O3)单晶。晶体外观完整、无色、无开裂,粉末XRD测试证明所获得的晶体为β相,......