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采用N2O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属-绝缘体-SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术,对传感器的响......
报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术.实验结果显示,MOS肖特基......
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