氮化硅电容相关论文
本文通过不同GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,研究分析了斜波电压下的TDDB特性,确定了氮化硅电容失效主要是由SiN介质的缺陷引起,通......
运用TDDB理论,研究分析了G aA s MM IC的M IM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的G aA s MM IC的M IM氮化硅......
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