氮化镓半导体相关论文
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具......
本研究中利用Ag/Ni/Graphene的组合来制作反射电极,并在不同的高温退火环境下进行合金(alloy)处理,以求最佳的欧姆接触条件与最佳的......
利用低压MOCVD系统在三片具有不同弯曲度(bow)值的蓝宝石衬底上生长了GaN基LED结构并制作芯片,测量了具有不同村底bow值的芯片的主......
利用高温管式炉,Pt作为催化剂,金属Ga和氮气直接反应得到了不同形貌的GaN纳米结构。通过研究不同温度和不同氨气压强下GaN纳米结构......
近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD)有望实现室温下太......
2007年4月30日,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光......
功率半导体作为电力电子行业的核心技术领域,其技术发展极大地影响着国民经济的各个方面.本文基于专利数据统计分析,探究氮化镓半......
氮化镓(GaN)是一种性能非常优异的宽禁带半导体材料,具有优良的光学、电学性质,且热稳定性和机械性能好,在光电子和微电子器件等方面......
GaN是一种宽带隙(禁带宽度是3.4 eV)半导体材料,其化学和物理稳定性好,具有电子饱和迁移率高、临界雪崩击穿电场强度大、热导率高、......
GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料,具有优越的光学、电学和机械性质,热稳定性高,化学稳定性好,在光电子和微电子器件等方面具有广......
氮化镓(GaN)是一种优异的宽禁带半导体材料,具有良好的光电性质和热稳定性,是制作蓝、绿发光二极管(LED),激光二极管(LD)和高温、高功......
氮化镓(GaN)是现在研究最为广泛的直接带隙宽禁带半导体,具有优良的物理、化学性质,是近年来蓝紫光半导体激光器研究中最重要的材料......
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文通过实验研究和计算模拟,考察研......
雷神公司称,雷神公司综合防务系统分部被国防预先研究计划局(DARPA)A)授予一份3年期2690万美元的合同,如果执行全部计划选项,该计划的......
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宽禁带材料的研究及应用越来越受到人们的重视,像以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料、石英玻璃(SiO2)材料都是研究的热点领域......
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